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在全球“双碳” 目标驱动下，新能源产业正迎来爆发式增长，而功率器件作为能源转换与传输的核心 “心脏”，其性能升级直接决定了新能源系统的效率、可靠性与成本控制能力。SiC功率器件凭借其卓越的材料特性，正加速成为新能源领域功率器件的主流选择。中恒微凭借对新能源市场需求的深刻洞察和强大的技术实力，打造了覆盖储能、充电桩、换电、光伏、AIDC、SST等多领域的 SiC 功率器件产品组合，助力新能源产业发展。
一、新能源领域对功率器件的要求及 SiC 功率器件的应用优势
（一）新能源领域对功率器件的核心要求
新能源领域的工况特殊性，对功率器件提出多维度严苛要求，可概括为五大方向：
1
高效率
新能源系统（如光伏逆变器、储能PCS、快充桩）的能量转换效率直接影响整体经济性，功率器件需在全工况范围内保持低损耗，以提升系统效率。
2
高可靠性
新能源设备多部署于户外（如光伏电站、充电桩）或长期连续运行（如储能系统、换电站），功率器件需具备优异的耐高温、耐高压、耐振动性能，确保长期稳定工作。
3
高功率密度
随着新能源设备向小型化、集成化发展，功率器件需在更小的体积内实现更高的功率输出，以减少设备占地面积和安装成本。
4
快速动态响应
在储能调频、电网并网等场景中，功率器件需具备快速的开关响应速度，以满足系统对动态调节的需求。
5
低成本
虽然新能源产业对性能要求高，但成本仍是商业化推广的关键因素，功率器件需在保证性能的同时，具备良好的成本效益。
（二）SiC 功率器件在新能源领域的应用优势
相较于传统Si 基功率器件，SiC 功率器件凭借其独特的材料特性，完美契合新能源领域对功率器件的核心要求，在新能源各领域形成显著应用优势：
1
光伏领域
低开关损耗可使组串式逆变器效率突破99%，提升发电收益；高频特性还能缩小滤波元件体积，适配光伏阵列宽幅输入电压，简化系统设计。
2
储能领域
耐高压特性适配高电压储能系统，降低储能变流器（PCS）功率损耗，提升充放电效率；同时高温稳定性减少冷却系统成本，延长储能系统整体寿命。
3
充电桩领域
低导通损耗支撑120kW + 快充功率，快充场景中表现更优，大幅缩短充电时长；高频化设计让桩体整体体积缩小30% 以上，节省安装空间，同时减少电网谐波干扰，适配小区、商场等复杂电网环境，避免充电中断。
4
换电领域
优异的高低温稳定性可应对北方严寒、南方高温等复杂工况，减少功率模块故障概率，降低运维成本，保障换电系统连续可靠运行，进一步降低换电站的运营成本。
中恒微凭借旗下的产品组合，能够为所有这些应用提供支持，为稳定运行提供核心支撑。针对每种电压和功率层级均能提供可靠解决方案，充分满足各领域客户的不同需求。
二、中恒微应用于新能源领域的SiC功率模块
中恒微针对储能系统、充电桩、换电等领域的需求，推出了Drive Z62 封装和Drive ED3 封装的 SiC 功率模块，这两款模块在工艺设计和材料选择上均采用了行业领先的技术，确保了模块的高性能、高可靠性和长寿命。
（一）低温无压纳米银烧结
中恒微采用低温无压纳米银烧结技术，烧结温度低至250℃，实现了“低温烧结、高温服役” 的突破。具有以下优势：
1
高温服役
烧结层熔点恢复至银的常规熔点（961℃），理论稳定服役最高温度可达384.4℃，与传统软钎焊相比，大幅提高器件寿命，热传导率提高3 倍，烧结层厚度减少 60%-70%。
2
高机械强度与导热性
烧结层可在 200℃以上环境长期稳定工作，热导率可达 330W/m・K。同时，芯片粘接强度超过50MPa，保证在新能源严苛工况下稳定连接，避免传统焊料在高温下的退化风险。
3
兼容薄型化设计
烧结层厚度可控制在20-30μm，显著优于锡焊90μm，支持芯片与基板的紧密贴合，为高密度封装提供可能。
4
工艺稳定
通过梯度预热和真空环境控制，抑制了银膏固化过程中的气泡生成，确保烧结层的致密度和均匀性。
中恒微无压纳米银烧结Z62模块贴装及X-RAY示意图
（二）铜线键合
针对SiC 芯片高功率密度需求，中恒微开发了两种铜线键合方案，实现12-20mil 铜线的可靠连接：
1
银烧结辅助键合
在芯片表面预烧结固定尺寸的铜片，形成过渡层，再进行12-20mil 铜线键合。该方案利用银烧结层的高导电性和延展性，缓解铜线与芯片的应力差异，提升键合抗拉强度和延伸特性。
芯片镀铜及铜线键合技术示意图
2
芯片表面铜化技术
在芯片表面电镀铜箔，直接实现12-15mil 铜线键合。此方案通过材料匹配优化，降低接触电阻（较铝线键合降低约 30%），减少产热并提升电流承载能力。
芯片镀铜及铜线键合技术示意图
两种方案均通过超声波焊接工艺实现端子连接，较传统焊接降低30% 寄生电感，显著减少信号干扰和能量损耗，尤其适用于新能源系统的高频开关场景。
（三）Si₃N₄ AMB基板
中恒微选用Si₃N₄ AMB基板，其性能参数与SiC 芯片高度搭配：
1
高热导率与低热膨胀
Si3N4 陶瓷热导率达80-90W/m・K（是 Al₂O₃基板的 3 倍），热膨胀系数与 SiC 芯片高度匹配，有效抑制热应力导致的界面开裂。AMB 工艺形成的铜 - 瓷结合强度远超传统 DBC 基板，可满足高载流需求。
2
高机械强度与抗热震性
Si₃N₄基板抗弯强度是 Al₂O₃基板的 2 倍以上，配合AMB 工艺的低空洞率。在光伏储能等高频开关场景中，该基板可有效抑制陶瓷开裂风险，确保模块在10 万次以上温度循环后仍保持稳定性能。
3
集成化设计
AMB 基板可直接集成 NTC 温度传感器，实现实时温度监测与热管理闭环控制。
Si₃N₄ AMB 基板
（四）产品可靠性参考标准
三、Drive Z62封装SiC功率模块产品介绍
产品型号
2B005E120T1P 2B005D120T1P
2B004E120T1P 2B004D120T1P
2B003E120T1P 2B003D120T1P
2B002E120T1P 2B002D120T1P
拓扑结构：Half-Bridge
产品特点
01
纳米银烧结
02
功率端子超声波焊接
03
低开关损耗
04
低导通电阻
05
高功率密度
06
高开关速度
07
Tvjop=175°C
产品列表
四、Drive ED3封装SiC功率模块产品介绍
产品型号
2E005E120T1P 2E003E120T1P
2E003D120T1P 2E002E120T1P
2E002D120T1P 2E003E120T2P
2E003D120T2P 2E002E120T2P
2E002D120T2P 2E004E170T1P
2E003E170T1P 2E002E170T1P
2E005E200T1P
拓扑结构：Half-Bridge
产品特点
01
纳米银烧结
02
集成NTC温度传感器
03
功率端子超声波焊接
04
低开关损耗
05
低导通电阻
06
高功率密度
07
高开关速度
08
Tvjop=175°C
产品列表
五、TO-247-3L封装SiC MOSFET产品介绍
同时，针对新能源领域的应用，中恒微也提供SiC 单管的解决方案。
TO-247-3L封装SiC MOSFET
产品型号
ZM028S120C
ZM040S120C
ZM080S120C
拓扑结构：Single die
产品特点
01
高阻断电压
02
低导通电阻
03
低电感设计
04
纳米银烧结
产品列表
中恒微深耕新能源应用，构建起全面的 SiC 器件解决方案组合，凭借高性能、高可靠性的核心优势，适配多样需求。目前，公司已与多家行业一流客户建立深度合作关系，通过定制化技术支撑、全周期服务响应及协同开发，精准解决客户技术痛点，有力助推客户产品升级与效率提升，为新能源产业的规模化、高质量发展提供坚实保障。
