中 EN

中文 EN

新闻资讯

让您第一时间了解我们的最新消息

首页 > 新闻中心 > 公司新闻
  • 产品介绍丨中恒微Drive Z3封装SiC功率模块
    Drive Z3（HPD）封装的1200V  SiC六单元模块，是中恒微新一代车规级SiC功率模块。模块芯片为平面栅SiC MOSFET，使用高可靠性、高热导率的Si3N4 AMB覆铜陶瓷基板以及直接液冷Pin-Fin散热器，结合锡片焊接、纳米银...

    26

    2025-04

  • 产品介绍丨中恒微半导体SiC系列功率器件
    SiC作为第三代半导体材料的代表，凭借其高禁带宽度、高击穿场强、高热导率等物理特性，成为功率器件领域的技术制高点之一。中恒微作为功率半导体行业的重要推动者与实践者，推出1200V~2000V，1.75mΩ~75mΩ全系SiC功率器件...

    26

    2025-04

  • 工艺丨中恒微SiC模块纳米银烧结与铜线键合技术介绍
    近年来，以使用SiC、GaN为主的第三代宽禁带半导体材料的功率模块越来越受到广泛关注；其具有高击穿电场、高热导率、高电子密度、可承受大功率等特点，非常适合于高频、高压、高温等应用场合，但正因其特性，对封装工艺提出了...

    26

    2025-04

  • 喜讯丨中恒微再度荣膺“优秀供应商”称号
    近日，合肥中恒微半导体有限公司凭借卓越的产品质量与高效协同的服务能力，连续2年蝉联正弦电气“优秀供应商”奖项。这一荣誉不仅是对中恒微技术实力与供应链能力的双重认可，更是双方并肩同行、共探行业高质量发展的生动...

    20

    2025-03

12

关于我们

新闻中心

产品中心

应用领域

联系我们

合肥中恒微半导体有限公司

地址：合肥市高新区创新大道106号明珠产业园五号楼二层C、D区
电话：182 9802 5907
邮箱：tangw@zhmsemi.com
网站地图| 友情链接| 流量统计
Copyright©2019 合肥中恒微半导体有限公司. All Rights Reserved皖ICP备19024158号-2 Designed by Wanhu